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    CPU FinFET工艺详解:7nm是物理极限

      [  中关村在线 原创  ]   作者:辛文辉   |  责编:杨勇

      现在看到手机发布会,很多厂商在介绍处理器的时候总会说自己自己使用的处理器是多多么领先,工艺多么多么精湛,并且还会引用“FinFet工艺制造”之类的名词,那到底什么是FinFET工艺,到底有什么优势让国际大厂趋之若鹫?

    CPU FinFET工艺详解:7nm是物理极限
    FinFET工艺

    FinFET工艺的概念

      FinFET称为鳍式场效应晶体管(Fin Field-Effect Transistor),是由美籍华人科学家胡正明教授提出的,其中的Fin在构造上与鱼鳍非常相似,所以称为“鳍式”,而FET的全名是“场效电晶体” 。

    FinFET是一种新的互补式金属氧半导体(CMOS)晶体管,源自于传统标准的晶体管—“场效晶体管”的一项创新设计。

    立体式Fin

      传统晶体管结构是平面的,所以只能在闸门的一侧控制电路的接通与断开。但是在FinFET架构中,闸门被设计成类似鱼鳍的叉状3D架构,可于电路的两侧控制电路的接通与断开。这种叉状3D架构不仅能改善电路控制和减少漏电流,同时让晶体管的闸长大幅度缩减。

      对于IC设计厂商来说,成本、性能、需求多方面达到平衡的方案和技术节点是最重要的,企业不是慈善家,它也需要考虑盈利的问题,很多芯片在产品性能足够的情况下,选择最合适的制造工艺,可以提升市场竞争力,扩大市场占有率,这也就是为什么有的厂商进行“挤牙膏”的策略来生产CPU了,因为FinFET工艺7nm已经是极限了。

      台积电在去年的IEDM上发布7nm技术节点的晶体管样品,虽然说台积电的7nm工艺在技术节点与英特尔的10nm非常相似,但台积电已经大有赶超英特尔之势。

      7nm制程的FinFET工艺最快要到明年才能面世,7nm也是FinFET工艺的极限,再往下的节点只能看EUV光刻机。

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