内部：同步整流pk双管正激

    通过上一页的外形对比可以看出，新旧版R80长的基本一模一样。毫无疑问，两者的区别将主要表现在内部构造上。那么，新旧版R80内部都有何差别呢？

    事实上从包装盒上就已经可以看出，旧版R80采用“同步整流” 技术，准确说是半桥拓扑+同步整流设计，而新版的R80则采用的是双管正激拓扑。根据航嘉工程师透漏，半桥拓扑是一种比较老，但是十分成熟的拓扑技术，而双管正激则是最近兴起的一种拓扑技术，这种技术门槛并不算太高，目前航嘉已经很好掌握这种技术。

    “正激拓扑”分为单管正激和双管正激，采用两颗MOS开关管分别驱动控制电流，交替工作使得交变电流的利用率大幅提升，而且有利于电路整体的稳定性和可靠性。“同步整流”采用通态电阻比较低的MOSFET，来取代整流二极管以降低整流损耗的一项新技术。用MOSFET做整流器时，要求栅极电压必须与被整流电压的相位保持同步才能整流功能，故称之为同步整流。

虽然旧版R80（右）的用料更扎实，但新版的设计更先进，新版R80很好的诠释了何为“八两拨千金”

    那么两者哪个更先进呢？我们知道，“半桥拓扑”采用三极管做主开关管，“正激拓扑”采用用MOS管，三极管导通损耗、开关损耗均远大于MOS，且三极管做主开关管频率多为50K，MOS可以很轻松做100K。而且，“半桥拓扑”只有单个电压反馈环，“正激拓扑”除了电压反馈外还有一个电流反馈，可以在每个开关周期逐周期控制电流大小，从而得到比“半桥拓扑”更稳定的电压和更纯净的电流。

    再来看看两者的EMI模块。

 
一级EMI电路对比（左为新版R80，右为旧版）

    新版R80的一级EMI电路，包括一个黄色的X电容加一对蓝色Y电容组成，而旧版只有Y电容和REMI屏蔽线；二级EMI方面，新旧版R80均设计在主PCB板载上，新版采用一颗X电容、两颗共模电感、套有热缩套的MOV与保险管来组成。

 
二级EMI电路对比（左为新版R80，右为旧版）

    新旧版R80完整的两级EMI滤波电路可以有效滤除电流的杂波，减少电源内部电磁干扰。可以说，在EMI电路方面，两者在伯仲之间。